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Si7272DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
20
16
V GS = 10 V thr u 4 V
40
12
30
20
8
T C = 25 °C
10
0
V GS = 3 V
4
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.013
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.011
V GS = 4.5 V
C iss
900
0.009
V GS = 10 V
600
C oss
0.007
300
C rss
0.005
0
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 15 A
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1. 8
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 15 A
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V , 10 V
0
3
6
9
12
15
1 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 69026
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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